收藏本站
DMN3115UDM
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT26
Dim Min  Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
?? ??
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
M
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
J
D
L
?? 0° 8° ??
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
3.20
1.60
Z
G
C1
X
Y
0.55
0.80
C1
2.40
Y
X
C2
0.95
DMN3115UDM
Document number: DS31187 Rev. 8 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN3135LVT-7 MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26
DMN3150L-7 MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
DMN3150LW-7 MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
DMN3200U-7 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
DMN32D2LDF-7 MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353
DMN32D2LFB4-7 MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
DMN32D2LV-7 MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563
DMN3300U-7 MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
相关代理商/技术参数
DMN3135LVT-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3150L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3150L-7 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3150LW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3150LW-7 功能描述:MOSFET 0.35W 28V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3200U 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3200U-7 功能描述:MOSFET 650mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN32D2LDF 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL